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半导体物理学

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课程编码：chmk003403

{1}--第一章

s [1.1]--1.1 半导体中的电子状态和能带（10分钟）

s [1.2]--1.2 半导体中的电子运动、有效质量（9分钟）

s [1.3]--1.4 载流子的回旋共振（12分钟）

{2}--第二章

s [2.1]--2.1 杂质和杂质能级（12分钟）

s [2.2]--2.2 缺陷及其作用_1 （5分钟）

{3}--第三章

s [3.1]--3.1状态密度（12分钟）

s [3.2]--3.3 电子和空穴浓度的一般表达式（9分钟）

s [3.3]--3.4 本征半导体的载流子浓度_1 （16分钟）

s [3.4]--3.5 杂质补偿半导体（12分钟）

{4}--第四章

s [4.1]--4.1 载流子的漂移运动和迁移率（12分钟）

s [4.2]--4.2 迁移率与杂质浓度和温度的关系（16分钟）

s [4.3]--4.3 强电场下的效应、热载流子（13分钟）

{5}--第五章

s [5.1]--5.1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级（17分钟）

s [5.2]--5.2 复合理论（18分钟）

s [5.3]--5.3 陷阱效应（9分钟）

s [5.4]--5.4 非平衡载流子的扩散运动（14分钟）

s [5.5]--5.5 爱因斯坦关系（9分钟）

s [5.6]--5.6 连续性方程（14分钟）

{6}--第六章

s [6.1]--6.1 热平衡条件下的pn结（14分钟）

s [6.2]--6.2 pn结的伏安特性（30分钟）

s [6.3]--6.3 pn结电容和击穿（20分钟）

{7}--第七章

s [7.1]--7.1 金属半导体接触及其能级图（11分钟）

s [7.2]--7.2 金属半导体接触整流理论（11分钟）

s [7.3]--7.3 少数载流子的注入和欧姆接触（12分钟）

{8}--第八章

s [8.1]--8.1 表面电场效应（25分钟）

s [8.2]--8.2 MIS结构电容-电压特性（15分钟）

s [8.3]--8.3 硅-二氧化硅系统性质（20分钟）

s [8.4]--8.4 表面电场对pn结特性的影响（7分钟）

{9}--第九章

s [9.1]--9 异质结（18分钟）

{10}--第十章

s [10.1]--第一章（12分钟）

s [10.2]--1.2 （10分钟）

s [10.3]--1.1 （9分钟）

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